32K×8高温静态随机存储器(RAM)是一种高性能32,768字×8-bit静态随机存储器，具有工业标准功能性。其生产运用了霍尼韦尔的HTMOS技术，专门为在苛刻的高温环境中应用的系统而设计。
RAM只需要一个供电电源，并且具有与CMOS相匹配的I/O（输入/输出）。操作中耗电量少于30mW/MHz，取消选定后耗电量少于10mW。RAM读取操作是完全异步的，相应的典型存取时间为50ns，5V。
应用 
• 井下油井 
• 航空电子设备 
• 涡轮发动机控制 
• 工业过程控制 
• 核反应堆 
• 电力转换 
• 重型内燃机
产品特点
• 额定温度：-55癈至+225癈 
• 用THMOSTM IV绝缘层上覆硅生产 
• 读取/写入循环时间≤50ns支持20 MHz时钟 
• 异步操作 
• 输入/输出缓冲器 
• 单5V 10%供电电源 
• 密封28引线陶瓷DIP

 

绝对最大额定值(1)

符号	参数		额定值		单位
			最小	最大
VDD	供电电压范围(2)		-0.5	6.5	V
VPIN	任何引脚上的电压(2)		-0.5	VDD+0.5	V
TSTROE	储存温度（零偏移）		-65	325	℃
TSOLDER	钎焊温度（5秒）			355	℃
PD	最大功耗(3)			2	W
IOUT	直流电或平均输出电流			25	mA
VPROT	ESD输入保护电压(4)		2000		V
ΘJC	热阻(接合点至案例)	28 DIP		10	℃/W