漏电流:三极管 icbo,iceo,icev,ices,ice r二极 izr J/MOS-FET 栅极电压: idss
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0 ~ 2mA |
1μA |
+/-1% |
0 ~ 600V* |
0 ~ 20μA |
10nA |
+/-1% |
0 ~ 600V* |
0 ~ 2μA |
1nA |
+/-1% |
0 ~ 600V* |
0 ~ 200μA |
0.1nA |
+/-3% |
0 ~ 600V* |
击穿电压:三极管 Bvcbo,Bvceo,Bvebo,Bvcev,Bvces,Bvcer,
齐纳二极管 Vzr J/MOS场效应管BVgss/bvdss
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0 ~ 30V |
0.15V |
+/-1% |
0 ~ 10 mA |
30 ~ 600V |
3V |
+/-2% |
0 ~ 2 mA |
正向导通电压:三极管 Vce(sat)Vbe(sat)二极管Vf
J/MOS 场效应管Vgs(th) 极管Bvr齐纳管Vzf
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0 ~ 4V |
1 mV |
+/-1% |
0 ~ 5A(1c.1f) |
0 ~ 15V |
1 mV |
+/-2% |
0 ~ 1A(1b) |
三极管电流增益 Hfe
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0 ~ 9999 |
1 |
+/-2% |
0 ~ 10(Vce) |
|
|
|
0.5mA ~ 5A(lc) |
齐纳二极管反向击穿压BVz
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0 ~ 4V |
1mV |
+/-1% |
0 ~ 0.5A |
4 ~ 60V |
15mV |
+/-1% |
0 ~ 0.5A |
J/MOS场效应管lgss,稳压器静态电流+/-lgt
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0 ~ 200 mA |
0.1 mA |
+/-1% |
0 ~ 30V |
0 ~ 20 mA |
1μA |
+/-1% |
0 ~ 30V |
0 ~ 2μA |
10 nA |
+/-1% |
0 ~ 30V |
0 ~ 2μA |
1 nA |
+/-2% |
0 ~ 30V |
J型场效应管跨导gm
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0 ~ 99mMHo |
0.05 mMHo |
+/-1% |
0 ~ 30V |
0 ~ 99μMHo |
0.05μMHo |
+/-1% |
0 ~ 30V |
0 ~ 99nMHo |
0.05 nMHo |
+/-2% |
0 ~ 30V |
可控硅管和三端双向可控硅管触发电流 +/-lgt
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0 ~ 1A |
5 mA |
+/-1% |
0.9 ~ 5V |
0 ~ 100 mA |
0.5 mA |
+/-1% |
0.9 ~ 5V |
0 ~ 10 mA |
50μA |
+/-1% |
0.9 ~ 5V |
0 ~ 1 mA |
5μA |
+/-1% |
0.9 ~ 5V |
0 ~ 1μA |
0.5μA |
+/-1% |
0.9 ~ 5V |
可控硅管和三端双向可控硅管擎住电流 lh
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0 ~ 200 mA |
1 mA |
+/-1% |
0.9 ~ 5V |
可控硅管和三端双向可控硅管触发电压 +/-Vgt、稳压器输出电压+/-Vo、稳压器电压差
△V
测试范围 |
分辨率 |
精度 |
测试条件 |
0 ~ 4V |
1 mV |
+/-1% |
0 ~ 30V |
4 ~ 40V |
10 mV |
+/-1% |
0 ~ 30V |